Электронная библиотека Веда
Цели библиотеки
Скачать бесплатно
Доставка литературы
Доставка диссертаций
Размещение литературы
Контактные данные
Я ищу:
Библиотечный каталог российских и украинских диссертаций

Вы находитесь:
Диссертационные работы России
Физико-математические науки
Физика конденсированного состояния

Диссертационная работа:

Иванченко Максим Викторович. Рост пленок железа и силицидов железа на атомарно-чистой и модифицированной бором поверхности кремния Si(111) : Дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 Владивосток, 2006 163 с. РГБ ОД, 61:06-1/1208

смотреть содержание
смотреть введение
Содержание к работе:

Введение 6

Глава 1. Формирование межфазовых границ и эпитаксия 14

Введение 14

1.1. Условия формирования тонких плёнок 16

  1. Механизмы роста плёнок 16

  2. Различные методики эпитаксиального выращивания плёнок 18

  3. Роль межфазовых границ при формировании плёнок 20

  4. Устойчивость поверхностных фаз к осаждению плёнок 21

1.2. Формирование поверхностных структур в системе Fe/Si 23

  1. Поверхностные структуры, формируемые в системе Fe/Si(l 11) 23

  2. Формирование и свойства полупроводникового силицида p-FeSi2 35

  3. Рост плёнок железа на буферных структурах, формируемых на кремнии 36

1.3. Влияние структуры плёнок на их физические свойства 38

  1. Влияние структуры на коэрцитивную силу тонких магнитных плёнок 38

  2. Влияние структуры на проводимость тонких плёнок 39

1.4. Выводы 41

Глава 2. Методика эксперимента 43

Введение 43

2.1. Метод электронной оже - спектроскопии 45

  1. Физические основы ЭОС 45

  2. Количественный оже-анализ 46

2.2. Метод дифракции медленных электронов 50

  1. Физические основы ДМЭ 50

  2. Анализ поверхностных структур 51

2.3. Метод спектроскопии характеристических потерь энергии электронами 53

  1. Физические основы СХПЭЭ 53

  2. Анализ спектров СХПЭЭ 53

  3. Изучение распределения материалов на межфазовой границе подложка-плёнка. 54

2.4. Метод сканирующей туннельной микроскопии 56

2.5. Генерация магнитоиндуцированных второй и третьей оптических гармоник в тонких

,. плёнках 57

< 2.5.1. Физические основы генерации оптических гармоник 57

2.5.2. Генерация магнитоиндуцированных оптических гармоник 58

  1. Экспериментальное оборудование 59

  2. Подготовка образцов и получение атомарно - чистой поверхности 63

  3. Подготовка игл для СТМ - исследований 66

  4. Выводы 70

Глава 3. Адсорбция Fe на Si(l 11) при температуре подложки
^ 150С 71

Введение 71

3.1. Осаждение плёнок железа со скоростями от 0,005 до 0,05 нм/мин на Si(l 11) при
температуре подложки 150С и отжиг плёнок 72

  1. Состав тонких плёнок Fe и оценка профиля размытия 72

  2. Отжиг тонких плёнок Fe и изменение профиля размытия 79

3.2. Осаждение плёнок железа со скоростями от 0,05 до 0,1 нм/мин на Si(l 11) при
температуре подложки 150С 82

3.2.1 Начальные стадии осаждения плёнок железа на Si(l 11) при температуре подложки

150С и скоростях осаждения от 0,05 до 0,1 нм/мин 82

Щ( 3.2.2 Толстые плёнки железа на Si(l 11), осаждённые при температуре подложки 150С и
скоростях осаждения от 0,05 до 0,1 нм/мин 87

3.3. Осаждение плёнок железа со скоростями от 0,1 до 0,5 нм/мин на Si(l 11) при температуре

подложки 150С 93

3.4 Выводы 101

Глава 4. Особенности адсорбции Fe на Si(l 1 l)V3xV3 R30-B при
комнатной температуре и блокирование реактивного
взаимодействия. 102

Введение 102

а 4.1. Формирование плёнок Fe на на поверхности, частично покрытой поверхностной фазой

^ Si(lll)V3xV3 R30-B 102

4.1.1 Осаждение Fe на подложку, частично покрытую Si(l 11) V3xV3 R30-B 102

4.1.2. Обсуждение результатов эксперимента по осаждению Fe на поверхность, частично

покрытую поверхностной фазой Si(l 1 l)V3xV3 R30-B 108

4 4.1.3. Модель роста плёнки на поверхности, частично покрытой поверхностной фазой.

Оценка толщины осаждённого материала для реактивных слоев 111

4.2. Формирование плёнок Fe на поверхности, полностью покрытой фазой Si(l 11)V3xV3
R30-B 114

  1. Осаждение железа на поверхность, полностью покрытую поверхностной фазой Si(lll)V3xV3 R30-B 114

  2. Обсуждение результатов эксперимента по осаждению железа на поверхность, полностью покрытую поверхностной фазой Si(l 1 l)V3xV3 R30-B 122

4.3. Выводы 127

Глава 5. Влияние поверхности, модифицированной бором, на
процессы реактивной ТФЭ, количество и структуру
нанокластеров FeSi2 на Si(l 11). 128

Введение .: 128

5.1. Реактивная твердофазная эпитаксия плёнок Fe на поверхности Si(l 11)7x7 129

5.1.1. Формирование областей с неупорядоченной атомной структурой 129

(^ 5.1.2. Формирование наноостровков FeSi2 133

5.2. Реактивная твердофазная эпитаксия плёнок Fe на поверхности Si(lll)V3xV3R30-B. 134
5.2.1 Формирование наноостровков FeSi2 при 550-700 С 134

5.2.2. Формирование кластеров атомных размеров при 450 С 136

5.3. Выводы 138

Глава 6. Магнитные свойства плёнок железа, полученных на
поверхностях Si(l 11)7x7 и Si(l 1 l)V3xV3 R30-B 139

Введение 139

6.1. Магнитные свойства плёнок железа, полученных на поверхностях Si(l 11)7x7 и
Si(lll)V3xV3 R30-B 139

6.2. Выводы 145

Выводы 146

Примечание 147

Список литературы 148

Приложение 157

*

$

Введение к работе:

Актуальность работы. Интерес к эпитаксиальным плёнкам металла на кремнии, проявившийся в последние годы, вызван вполне понятными объективными причинами. Хорошо известен закон Мура, согласно которому «количество транзисторов, которое может быть помещено на квадратный дюйм кремниевой поверхности, удваивается каждые 12 месяцев» [1]. Постоянное уменьшение размеров устройств микроэлектроники необходимо, чтобы повысить их быстродействие и увеличить плотность размещения элементов на кристалле при производстве интегральных схем (ИС). Это вызывает также спрос на поиск новых материалов, в том числе на исследования сверхтонких слоев металла на полупроводнике.

Увеличение степени интеграции электронных приборов, создаваемых на основе полупроводниковых кристаллов, связано с различными технологическими трудностями, многие из которых связаны с хорошо известными физическими явлениями. Ещё совсем недавно считалось, что фотолитография при размере деталей рисунка менее десятых долей микрона становится практически невозможной из-за дифракционных эффектов, возникающих на прорезях фотолиграфических масок. Однако недавние исследования учёных фирмы IBM показали, что на основе фотолитографии возможно создавать элементы рисунка топологии ИС шириной 29,9 им, что позволит использовать имеющиеся в производстве технологии без дорогостоящего переоснащения фабрик в течение около 7 лет [2]. Возможно дальнейшее уменьшение размеров элементов на основе этой технологии. Альтернативные технологии, которые предполагается использовать в будущем, например, метод использования ультрафиолетовых лучей - такая технология получила название EUV (Extreme Ultra Violet lithography - "литография с использованием ультракоротких ультрафиолетовых лучей") позволят ещё более уменьшить размеры элементов. Таким образом, размер элементов производимых ИС в ближайшие годы составит уже десятки, а в дальнейшем единицы нанометров, то есть уже имеет смысл называть современную электронику «наноэлектроникой».

Однако, при уменьшении электронных приборов до размеров менее нескольких десятков нанометров значительную роль приобретают физические эффекты, возникающие на

границе раздела тонкая плёнка металла - полупроводник, многие из которых имеют квантовую природу. Например, возрастает роль обменного взаимодействия (применение таких эффектов описано в [3]), проводимость осуществляется посредством не обычных проводников, а так называемых «квантовых проволок» [4]. Такие явления просто необходимо учитывать. По-прежнему остаются вопросы, связанные с диффузионными процессами на поверхности и в объёме полупроводника, которые также приводят к «размытию» профиля элемента и ограничивают степень интеграции.

Стремление к разрешению данных проблем привело к развитию двух из нескольких основных подходов к формированию ИС с высокой степенью интеграции, являющихся ключевыми для формулировки основной цели и задач данного исследования. Во - первых, это исследование способов формирования резких и совершенных границ металл -полупроводник с минимальным диффузионным размытием в плоскости плёнки. Как следствие, приборы на основе таких структур должны иметь малые размеры и прогнозируемые стабильные свойства. К работам в этом направлении относятся, например, публикации по изучению роста металлов на буферных слоях[5]. Во - вторых, это создание трёхмерных ИС, в которых большая интегральная плотность элементов достигается не только за счёт создания планарных элементов меньших размеров, но и за счёт формирования дополнительных слоев рисунка ИС. При этом элементы трёхмерной ИС при исходно больших размерах за счёт объёма могут иметь ту же степень интеграции на единицу площади кристалла, что и элементы планарной меньшего размера. Следовательно, возможно некоторое снижение требований к технологическому процессу их изготовления. Дополнительные слои, формируемые при создании трёхмерных ИС, содержат соединяющие элементы ИС электрические проводники, длина которых существенно уменьшается благодаря такой топологии. Это тем более существенно, что характеристики и стоимость современных ИС в основном определяются именно электрическими проводниками. Кроме того, такая технология позволяет соединять на одном кристалле, например, светочувствительную матрицу и процессор, обрабатывающий поступающую от неё информацию, при этом скорость обработки изображений многократно возрастает^]. Понятно, что создание такой структуры в планарном рисунке является очень сложной или невозможной на сегодняшний день задачей. В целом, оба метода при их развитии предполагают использование подходов на новом качественном уровне и разработку новых технологий формирования плёнок.

Важность создания тонких монокристаллических (или эпитаксиальных) плёнок металла с минимальным числом дефектов на кремниевой подложке очевидна - например, это путь к созданию металлических шин с высокой проводимостью и теплопроводностью, малыми

временами задержки для ИС, путь к формированию надёжных многослойных нано-ИС. Существуют также другие возможности применения, часть из которых упомянута ниже.

Эпитаксия металлов реализуется достаточно редко. Это обусловлено необходимостью сочетания нескольких факторов. Во-первых, нужно чтобы параметры решётки у металла хотя бы в одной из плоскостей были бы близки к параметрам решётки поверхности кремния. Во-вторых, атомы таких металлов должны иметь подвижность на поверхности, достаточную для встраивания в регулярные положения и образования упорядоченных слоев уже при комнатной температуре. Если температуру подложки во время осаждения плёнки (либо температуру отжига после осаждения плёнки) сделать выше некоторой критической температуры, происходит диффузия кремния и образование различных силицидов металлов. Хорошо изучены лишь несколько металлов, напыление которых на кремний уже при комнатной температуре приводит к эпитаксии - это марганец, железо, кобальт и медь.

Есть определённые трудности в технологическом использовании, по крайней мере, двух из перечисленных металлов. Марганец образует достаточно тонкие эпитаксиальные плёнки (порядка 2-3 монослоя), что может говорить о напряжённости структуры или формировании межфазовой границы марганец - кремний, имеющей сложное строение[7]. В пользу этого также говорит факт срыва эпитаксиального роста при увеличении скорости осаждения более 0,3 МС/мин. Понятно, что сложно формировать структуры с высокой проводимостью»и низкой коэрцитивной силой из материалов с высокой плотностью дефектов.

Диффузионная способность меди столь огромна, что медь способна проникнуть сквозь стандартную кремниевую шайбу за 15 часов при комнатной температуре. На поверхности же, как известно, энергия активации диффузионных процессов значительно ниже, и процесс диффузионного размытия протекает активнее. Кроме того, эпитаксиальная плёнка меди уже при достаточно тонких осаждённых слоях (менее 3 нм) формируется на Si(lll) таким образом, что её постоянная решётки соответствует постоянной решётки чистой меди, а не подложки кремния. Уже при покрытии Си порядка нескольких моноатомных слоев плёнка содержит большое число дефектов типа двойников, соизмеримое с числом кристаллитов, ориентированных псевдоморфно [8]. Очевидно, что на межфазовой границе Cu/Si(lll) возникают напряжения. Поэтому, несмотря на то, что лучше меди по проводимости (0,0175-0,018 Ом*мм2/м при 20С) при обычных условиях только драгоценные металлы, а именно: серебро, золото, платина, есть сложности при использовании меди в процессах производства наноэлектронных приборов. Основные среди них - диффузионное размытие профилей проводников, которое будет влиять на стабильность свойств и надёжность электронных элементов, а также возможная деградация проводников из меди со временем из-за

напряжений в плёнке, приводящих к рассогласованию на границах зёрен при многократных циклах нагрев-охлаждение.

Хотя плёнки кобальта также представляют большой интерес для исследований вследствие успешной эпитаксии их на поверхности Si(100), плёнки Fe привлекли наше внимание как объект исследования в силу нескольких весьма полезных с точки зрения технологии факторов.

  1. Эпитаксиальные блочные плёнки железа на Si(lll) могут иметь толщину более 30 нм [9]. При этом проводимость чистого железа только в два раза ниже, чем у чистой меди. Поэтому есть потенциальная возможность использования таких плёнок в качестве электрических проводников.

  2. Чистое железо - ферромагнетик с большим магнитным моментом. Коэрцитивная сила эпитаксиальных плёнок Fe на Si(lll) составляет около 8 Э, что примерно в 6 раз меньше коэрцитивной силы поликристаллических плёнок железа, сформированных на стекле или оксиде кремния [10]. Это даёт возможность интегрировать чувствительные датчики магнитного поля вместе с электронными усилителями и другими устройствами в единой ИС на основе кремниевой технологии.

  3. Дисилицид железа P-FeSi2 является прямозонным полупроводником с шириной запрещённой зоны около 0,85 эВ (соответствует длине волны 1,46 мкм) при комнатной температуре, что близко к минимуму поглощения в оптоволокне на основе кремниевых соединений. Помимо этого, благодаря более высокому коэффициенту преломления p~FeSi2 (5,6) по сравнению с кремнием (3,5), двойные гетероструктуры p-Si/p-FeSi2/n-Si представляют огромный интерес в качестве светоизлучающих приборов[11].

Таким образом, структуры, образуемые железом на поверхности кремния, обладают огромным спектром потенциального применения в наиболее современных микроэлектронных отраслях и поэтому, несомненно, должны быть подробно исследованы. Это явным образом указывает на актуальность и своевременность данного исследования. Целью диссертационной работы является исследование влияния условий роста на формирование плёнок железа и кластеров силицида железа на атомарно-чистой и модифицированной бором поверхностях Si(l 11). Для достижения указанной пели предполагалось решить следующие задачи:

  1. Экспериментально исследовать процессы формирования границы раздела Fe/Si(l 11) при осаждении плёнки Fe на подложку, нагретую до температуры, при которой происходит упорядочение атомов на межфазовой границе;

  2. Изучить влияние условий осаждения на коэрцитивную силу плёнок Fe и на формирование границы раздела в системе Fe/Si(l 11);

3) Исследовать возможность формирования резкой границы раздела между плёнкой

железа и подложкой кремния с помощью пассивирования поверхности подложки бором;

" 4) Исследовать возможность формирования дисилицида железа на поверхностной фазе

Si(lll)V3xV3R30-B.

Научная новизна работы состоит в том, что:

-оптимизированы технологические условия получения эпитаксиальных плёнок железа с низкой коэрцитивной силой на чистом кремнии;

-показано, что поверхностная фаза Si(lll)V3xV3 R30-B блокирует активное перемешивание на межфазовой границе железо - кремний, возникающее уже при комнатной температуре;

-впервые с помощью реактивной твердофазной эпитаксии железа на поверхностной фазе
^ Si(lll)V3xV3 R30-B получены островки дисилицида железа р—FeSi2, плотность которьк

значительно превышает плотность островков на поверхности Si(l 11)7x7, выращенных при аналогичных температурах и покрытиях;

-обнаружено формирование новых типов нанокластеров атомного масштаба при взаимодействии атомов Fe с поверхностями Si(l 11)7x7 и Si(l 1 l)V3xV3 R30-B;

-исследована третья оптическая гармоника на эпитаксиальных плёнках Fe на Si(l 11)7x7. Практическая ценность исследования:

1. В ходе выполнения диссертационной работы были исследованы условия
формирования эпитаксиальных плёнок железа с низкой коэрцитивной силой 6,2 Э на

создания датчиков магнитного поля, магнитных головок жёстких дисков.

  1. В результате исследования адсорбции железа на поверхность Si(lll)V3xV3 R30-B установлено, что модифицирование поверхности Si(lll) бором блокирует реактивное взаимодействие на границе Fe/Si(lll). Результаты исследования могут быть использованы для получения резкой межфазовой границы между кремниевой подложкой и осаждаемой плёнкой железа в спинтронике.

  2. Показано, что размеры и плотность островков p~FeSi2 на Si(lll)V3xV3 R30-B варьируются при изменении количества железа и температуры. Данный результат представляет интерес для оптической ланоэлектроники.

Основные защищаемые положения:

1. В интервале скоростей осаждения Fe от 0,05 до 0,1 им/мин и при температуре
Ч? подложки Si(l 11)7x7 150 С выращенные плёнки железа имеют эпитаксиальную

структуру и характеризуются низкой коэрцитивной силой.

2. Формирование на поверхности Si(lll) поверхностной фазы Si(lll)V3xV3 R30-B
.'; приводит к блокированию реактивного взаимодействия осаждённой плёнки Fe с
- > поверхностью кремния.

  1. В результате реактивной твердофазной эпитаксии покрытий Fe 0,05-0,5 моноатомных слоя при температурах 600-700 С на поверхностной фазе Si(lll)V3xV3 R30-B формируются только островки дисилицида железа р—FeSi2-

  2. На поверхности Si(l 11)7x7 в результате реактивной твердофазной эпитаксии в области покрытий Fe 0,05-0,5 моноатомных слоя при температурах 450-700 С формируются кластеры силицида железа атомного масштаба - тримеры.

  3. На поверхности Si(lll)V3xV3 R30-B в результате реактивной твердофазной эпитаксии покрытий Fe 0,05-0,5 моноатомных слоя при температурах 450 С

* получены кластеры силицида железа атомного масштаба, которые на СТМ

изображениях выглядят как упорядоченная группа из девяти максимумов. Апробация результатов работы. Основные результаты работы были представлены и обсуждались на Международном симпозиуме «Принципы и процессы создания неорганических материалов» (Вторые Самсоновские чтения) (г. Хабаровск, Россия, 4-6 ноября 2002 г.), Всероссийском совещании Кремний-2004 (г. Иркутск, Россия, 5-9 июля 2004 г.), X Международном семинаре «Дислокационная структура и механические свойства металлов и сплавов» (ДСМСМС-2005), (г. Екатеринбург, Россия, 18-22 марта 2005 г.), Седьмой всероссийской молодёжной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике (г. Санкт-Петербург, Россия, 5-9 декабря 2005

^ г.), V и VI Международной очно - заочной научно - практической конференции студентов,

аспирантов и молодых исследователей «Интеллектуальный потенциал ВУЗОВ на развитие Дальневосточного региона России» (г., Владивосток, Россия, 2003-2004 гг.), IX и X Конференции студентов, аспирантов и молодых ученых по физике полупроводниковых, диэлектрических и магнитных материалов (ПДММ - 2005, ПДММ - 2006, г., Владивосток, Россия, 2005-2006 гг.), а также 6 Российско-Японском семинаре по поверхностям полупроводников JRSSS-6 (г. Тояма, Япония, 10-17 октября 2004 г.). Доклады на конференциях неоднократно были отмечены почётными грамотами.

Публикации и личный вклад автора. По теме диссертации опубликованы 8 статей в рецензируемых научных журналах.

1. Chebotkevich L.A., Ivanchenko M.V., Churasov В.К., Gavriljuk Y.L., Bekhtereva O.V.,
Astapova E.S., Pivchenko E.B., Lifshits V.G. Magnetic properties of epitaxial Fe films

^ grown on clean Si(l 11) surface.// Phys. Low-Dim. Struct. 2003. V 9/10. P. 141-154.

2. Aktsipetrov O.A., Murzina T.V., Kim E.M., Карга R.V., Fedyanin A.A., Inoue M.,
Kravets A.F., Kuznetsova S.V., Ivanchenko M.V., Lifshits V.G. Magnetization-induced

second- and third-harmonic generation in magnetic thin films and nanoparticles. II Journal of Optical Society of America B. 2005. Vol. 22. No 1. P. 138-147.

  1. Мурзина T.B., Ким E.M., Капра P.B., Акципетров О.А., Иванченко М.В., Лифшиц В.Г., Кузнецова СВ., Кравец А.Ф. Генерация магнитоиндуцированной третьей гармоники в наноструктурах и тонких пленках. // ФТТ. 2005. Т. 47. С. 147-149.

  2. Иванченко М.В., Борисенко Е.А., Котляр В.Г., Утас О.А., Устинов В.В., Лифшиц В.Г. Увеличение плотности нанокластеров p-FeSi2 на поверхности Si(lll) с помощью формирования реконструкции Si(lll)V3xV3 R30-B. II Письма в ЖТФ. 2006. Т.32. Вып.9. С.58-64.

  3. Ivanchenko M.V., Borisenko Е.А., Kotlyar V.G., Utas O.A., Ustinov V.V., Lifshits V.G. Increase in the Density of p-FeSi2 Nanoclusters on a Si(lll) surface by Means of Si(l 1 l)V3xV3 R30-B Reconstruction. II Tech. Phys. Lett. 2006. Vol.32. N.5. P.396-398.

  4. Aktsipetrov O.A., Kim E.M., Карга R.V., Murzina T.V., Kravets A.F., Inoue M., Kuznetsova S.V., Ivanchenko M.V., Lifshits V.G. Magnetization-induced optical third-harmonic generation in Co and Fe nanostructures. II Phys. Rev. B. 2006. Vol. 73. No 140404(R).P.l-4.

  5. Иванченко M.B., Борисенко E.A., Чеботкевич Л.А., Гаврилкж Ю.Л., Коробцов В.В., Котляр В.Г., Утас О.А., Потапов СВ., Гриценко В.А., Лифшиц В.Г. Исследование роста плёнок железа при комнатной температуре на поверхностных фазах Si(l 11)7x7 и Si(l 1 l)V3xV3 Д30-В. // Вестник ДВО. 2006. Вып. 6 прил. С. 38-48.

  6. Ivanchenko M.V., Borisenko Е.А., Kotlyar V.G., Utas O.A., Zotov A.V., Saranin A.A., Ustinov V.V., Solin N.I., Romashev L.N., Lifshits V.G. Comparative STM study of SPE growth of FeSi2 nanodots on Si(lll) 7x7 and Si(lll)V3xV3 Д30-В surfaces. II Surface Science. 2006. V. 600. N. 12. P. 2623-2628.

Личный вклад автора заключается в участии в определении способов решения поставленных задач, приготовлении всех экспериментальных образцов с адсорбированными атомами железа, перечисленных в экспериментальной части работы, проведении большей части экспериментов с использованием методов дифракции медленных электронов (ДМЭ), электронной оже-спектроскопии (ЭОС), спектроскопии характеристических потерь энергии электронами (СХПЭЭ). Автор принимал активное участие в интерпретации полученных результатов, а также производил корректировку процедуры приготовления образцов при работе в соавторстве с исследовательскими группами, проводившими по просьбе автора исследования магнитоиндуцированных оптических гармоник и исследования поверхности с помощью сканирующей туннельной микроскопии (СТМ). Автором была получена часть изображений СТМ с атомарным разрешением, а также все кривые магнитного гистерезиса и

значения коэрцитивной силы плёнок. Во всех совместных экспериментах и расчётах автор принимал активное личное участие вместе с коллективом сотрудников ИАПУ ДВО РАН, а также сотрудниками других организаций - соавторами совместных публикаций.

Участие соавторов публикаций заключалось в следующем: профессор, чл.-корр. РАН Лифшиц В.Г., а затем д.ф.-м.н. Зотов А.В. осуществляли руководство работой и внесли большой вклад в интерпретацию и представление для опубликования полученных результатов. Профессор, чл.-корр. РАН Саранин А.А., а также д.ф.-м.н., профессор Чеботкевич Л.А. участвовали в обсуждении результатов, а также внесли ряд ценных замечаний по оформлению публикаций и представлению результатов в печать. Д.ф.-м.н., профессор Акципетров О.А. осуществлял руководство при исследовании процессов генерации магнитоиндуцированных оптических гармоник, а также проводил их теоретическое исследование. Соавторы д.ф.-м.н. Астапова Е.С. и к.ф.-м.н. Пивченко Е.Б. осуществляли рентгеновские исследования полученных плёнок. Соавторы д.ф.-м.н. Котляр В.Г., Утас О.А. участвовали в проведении исследований СТМ. Соавторы к.ф.-м.н. Чурусов Б.К. и Потапов СВ. участвовали в техническом оформлении экспериментов. Соавторы профессор, чл.-корр. РАН Устинов В.В., д.ф.-м.н. Солин Н.И., д.ф.-м.н. Гаврилюк Ю.Л., д.ф.-м.н. Коробцов В.В., д.ф.-м.н. Гриценко В.А., к.ф.-м.н. Ромашев Л.Н., Бехтерева О.В., а также коллега из Японии профессор Ино М. участвовали в обсуждении результатов. Соавторы к.ф.-м.н. Мурзина Т.В., к.ф.-м.н. Кузнецова СВ., к.ф.-м.н. Федянин A.M., Ким Е.М., Капра Р.В., Кравец А.Ф., участвовали в проведении экспериментов по генерации оптических гармоник и обсуждении результатов.

Структура и объём диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения, списка цитируемой литературы и приложения. Она содержит 163 страницы, в том числе 75 рисунков, список литературы на 9 листах, включающий 124 наименования, и 7 листов приложения.

*

Подобные работы
Балашев Вячеслав Владимирович
Формирование поверхности Si(111) при молекулярно-лучевой эпитаксии кремния и адсорбции бора
Андреева Анна Григорьевна
Фазовые переходы полупроводник-металл в почти ферромагнитных соединениях переходных металлов и гетерофазных системах на их основе (На примере силицидов железа)
Грузнев Дмитрий Вячеславович
Соадсорбция In и Sb на поверхности Si(001) и Si(111)
Доценко Сергей Андреевич
Оптические свойства поверхностных фаз In и тонких пленок силицидов Fe и Cr на Si(111)
Ильященко Владимир Михайлович
Формирование границы раздела при послойном росте Cr, Co и Fe на Si(111)
Ваванова Светлана Владимировна
Формирование, структура и свойства тонких пленок силицида магния на Si(111)
Прижимов Андрей Сергеевич
Механизм роста пленок и структура межфазных границ в металлической системе с большим размерным несоответствием
Мизина Виктория Валерьевна
Моделирование начальных стадий роста пленок на подложках
Искандарова Инна Марсовна
Моделирование роста диэлектрической пленки ZrO2 (HfO2) и изучение электрических свойств границы раздела диэлектрик-металл
Батеев Алексей Борисович
Физико-химическое состояние атомов железа в оксидных пленках, образованных на поверхности циркониевых сплавов в условиях автоклава

© Научная электронная библиотека «Веда», 2003-2013.
info@lib.ua-ru.net