Электронная библиотека Веда
Цели библиотеки
Скачать бесплатно
Доставка литературы
Доставка диссертаций
Размещение литературы
Контактные данные
Я ищу:
Библиотечный каталог российских и украинских диссертаций

Вы находитесь:
Диссертационные работы России
Технические науки
Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники

Диссертационная работа:

Митченко Иван Сергеевич. Исследование влияния условий химического осаждения из газовой фазы на микроструктуру пленок карбида кремния : диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.06 / Митченко Иван Сергеевич; [Место защиты: Сев.-Кавказ. гос. техн. ун-т].- Ставрополь, 2008.- 162 с.: ил. РГБ ОД, 61 09-5/353

смотреть введение
Введение к работе:

Актуальность темы

Благодаря большим значениям ширины запрещенной зоны (от 2,4 до 3,3 эВ), теплопроводности (4,9 Вт/см-К), напряженности поля пробоя (3 МВ/см), насыщен-ной скорости дрейфа носителей тока (1000 см /(В-с) карбид кремния является уникальным материалом для создания силовых и высокочастотных приборов, потребность в которых испытывают практически все сферы жизнедеятельности человека.

Несмотря на очевидные достоинства SiC над кремнием и арсенидом галлия, данный материал широкого распространения в изделиях электронной техники не получил. В настоящее время спектр применения карбида кремния ограничивается производством светодиодов, диодов Шоттки, PIN-диодов и MESFET транзисторов. Одним из недостатков существующих промышленных технологий изготовления элементов электронной техники на основе карбида кремния является высокая температура синтеза (1500-1650 С) пленок SiC, которая связана с высокими затратами энергии. Следует также отметить, что промышленное применение получили только монокристалические пленки, так как их свойства и условия высокотемпературного синтеза подробно изучены.

Между тем, при низких температурах (700 - 1300 С), в зависимости от режимов осаждения можно синтезировать микрокристаллические, нанокристаллические, аморфные, гидрогенизированные и полимерные слои SiC, которые обладают огромным потенциалом для создания полноцветных дисплеев, датчиков излучения, солнечных элементов и т.д. Однако без проведения всесторонних исследований в области синтеза и изучения структурно-чувствительных свойств этих материалов невозможна оптимизация условий получения пленок и гетероструктур на их основе с заданными характеристиками а, следовательно, и их массовое использование в технологии элементов электронной техники. Существующее положение дел усугубляется отсутствием математических моделей, способных описать процессы зарождения и роста аморфных, нано - и микрокристаллических пленок SiC, а также указать пути повышения качества монокристаллических пленок при снижении температуры синтеза.

В связи с этим целью данной работы являлось установление влияния технологических факторов синтеза на микроструктуру и состав пленок карбида кремния, синтезируемых методами химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ).

Для достижения поставленной цели были сформулированы следующие задачи:

разработка и создание экспериментальных установок ХОГФ для синтеза пленок карбида кремния из паров хлорсодержащих кремнийорганических соединений (ХКС);

разработка моделей, описывающих механизмы зарождения и роста пленок алмазоподобных материалов (карбида кремния) и позволяющих проводить анализ влияния технологических факторов на процессы образования аморфных и кристаллических пленок карбида кремния;

синтез серий образцов пленок карбида кремния при различных температурах и ориентациях подложек кремния, скоростях расхода парогазовой смеси, концентрации источника компонентов пленки, типа активации процесса газо-фазного осаждения;

- исследование полученных образцов методами просвечивающей ИК-
спектроскопии, спектроскопии комбинационного рассеивания света, рентгенофазо-
вого анализа и методами сканирующей зондовой микроскопии;

определение влияния технологических факторов синтеза на кинетику осаждения тонких пленок карбида кремния;

на основании результатов моделирования процессов зарождения и роста пленок алмазоподобных материалов и экспериментальных данных, полученных при исследовании синтезированных образцов, описать влияние температуры и ориентацию! подложек кремния, скоростей расхода парогазовой смеси, концентрации источника компонентов пленки, типа активации процесса газо-фазного осаждения на микроструктуру и состав слоев SiC.

Научная новизна:

разработана квантово-химическая модель, позволяющая проводить анализ влияния технологических факторов на процессы зарождения и роста аморфных и кристаллических пленок карбида кремния;

методом химического осаждения из газовой фазы получены слои карбида кремния из паров диметилдихлорсилана и триметилхлорсилана;

установлено влияние дополнительной термической активации парогазовой смеси на состав и структуру тонких пленок карбида кремния, синтезированных из паров диметилдихлорсилана и триметилхлорсилана;

показано влияние типа и концентрации кремнийорганического хлорсодер-жащего соединения в водороде на состав и микроструктуру синтезированных тонких пленок карбида кремния;

показано влияние технологических параметров синтеза на кинетику осаждения пленок карбида кремния.

Практическая значимость:

разработан способ синтеза пленок карбида кремния методом термического разложения хлорсодержащих кремнийорганических соединений в атмосфере водорода с возможностью управления составом и структурой формируемых слоев;

показано влияние различных технологических факторов термоактивированного газо-фазного осаждения на состав, структуру и морфологию тонких пленок карбида кремния, синтезируемых из паров хлорсодержащих кремнийорганических соединений;

предложена методика экспресс-анализа структуры и состава пленок SiC по данным спектров ИК-пропускания и комбинационного рассеяния света.

Основные положения, выносимые на защиту:

модель, описывающая влияние технологических факторов на процессы зарождения и роста пленок аморфных и кристаллических алмазоподобных материалов, основанная на результатах квантово-химических расчетов;

влияние дополнительной термической активации парогазовой смеси, содержащей источники компонентов пленки, на микроструктуру слоев, синтезированных методом ХОГФ;

влияние типа хлорсодержащего кремнийорганического соединения, используемого в качестве источника кремния и углерода, на состав и микроструктуру слоев SiC, синтезированных методом ХОГФ;

влияние ориентации подложки кремния на микроструктуру слоев карбида кремния, синтезированных из паров хлорсодержащих кремнийорганических соединений.

Реализация результатов работы

Тематика данной работы соответствует перечню приоритетных направлений фундаментальных исследований, утвержденных президиумом РАН.

Работа является частью комплексных исследований, проводимых на кафедре «Нанотехнологии и технологии материалов электронной техники» ГОУ ВПО «Северо-Кавказский государственный технический университет» в рамках грантов:

Мин. Образования РФ, РНП 1.2.05 «Исследование особенностей синтеза полупроводниковых широкозонных материалов для экстремальной электроники»;

Мин. Образования РФ, РНП 3.4.05 «Исследование процессов формирования аморфных гидрогенизированных пленок карбида кремния и углерода»;

Мин. Образования РФ, РНП 1.1.08 «Исследование особенностей синтеза гете-роэпитаксиальных тонких пленок карбида и оксида кремния»;

ФЦНТП РНП 2.2.2.2.8767 «Фундаментальные исследования новых изолирующих и полупроводниковых материалов на основе аморфного и гидрогенизиро-ванного карбида кремния совместно с Кемницким техническим университетом».

Результаты диссертационной работы легли в основу проекта, поддержанного фондом содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере по программе Старт 2008 №5671р/8226 от 31.03.2008 г. и инвестором (ООО НПФ «Экситон» г. Ставрополь).

Апробация работы

Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях: научно-технической конференции по результатам работы профессорско-преподавательского состава, аспирантов и студентов Северо-Кавказского государственного технического университета, (Ставрополь, 2005, 2007, 2008г.); международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии», (Кисловодск, 2005-2008г.); Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники», (Санкт-Петербург, 2006г.); Российско-японском семинаре «Перспективные технологии и оборудование для материаловедения, микро - и наноэлектроники» (Астрахань, 2006, Саратов, 2007 г.); региональной научно-технической конференции «Вузовская наука - Северо-Кавказскому региону», (Ставрополь, 2006г.); ежегодной научной конференции студентов и аспирантов базовых кафедр Южного научного центра РАН. (Ростов-на-Дону, 2007 г.); IX российско-китайском симпозиуме «Новые материалы и технологии», (Астрахань, 2007г.), международной казахстанско-российско-японской научной конференции «Перспективные технологии, оборудование и аналитические системы для материаловедения и наноматериалов». (Усть-Каменогорск, 2008 г.)

Публикации

По теме диссертационной работы опубликовано 19 печатных работ, в том числе 7 статей и 12 тезисов к докладам на международных, российских и региональных научно-технических конференциях.

Объем и структура диссертации

Диссертация состоит из введения, 5 глав, основных результатов и выводов по работе. Содержит 156 страниц машинописного текста, включая 11 таблиц, 55 рисунков и список литературы в количестве 175 наименований.

Подобные работы
Карачинов Владимир Александрович
Получение профилированных монокристаллов карбида кремния методами сублимации и электрической эрозии
Матузов Антон Викторович
Технология структур "карбид кремния - кремний" для приборов микроэлектроники и микросистемной техники
Сысоев Андрей Александрович
Процессы обработки затравок для выращивания совершенных объемных монокристаллов полупроводникового карбида кремния методом ЛЭТИ
Макаров Антон Сергеевич
Исследование нарушений структуры кремния, возникающих при химико-механическом полировании
Болесов Игорь Анатольевич
Исследования и разработка технологии изготовления PIN-фотодиодов на основе кремния с применением ионной имплантации
Данилкин Евгений Викторович
Исследование и оптимизация процесса реактивно-ионного травления углублений в кремнии для формирования мелкощелевой изоляции
Калугин Виктор Владимирович
Исследование и разработка процессов подготовки поверхности кремниевых пластин при изготовлении структур кремний на изоляторе
Коновалов Владимир Вячеславович
Исследование влияния сорбата остаточных газов на работоспособность элементов вакуумного технологического оборудования
Каратунов Юрий Владимирович
Моделирование и оптимизация параметров технологических процессов химического осаждения тонких пленок из газовой фазы в производстве приборов электронной техники
Артемов Евгений Иванович
Микроструктура и свойства тонких пленок аморфного гидрогенизированного сплава кремния с углеродом

© Научная электронная библиотека «Веда», 2003-2013.
info@lib.ua-ru.net