Электронная библиотека Веда
Цели библиотеки
Скачать бесплатно
Доставка литературы
Доставка диссертаций
Размещение литературы
Контактные данные
Я ищу:
Библиотечный каталог российских и украинских диссертаций

Вы находитесь:
Диссертационные работы России
Физико-математические науки
Физика полупроводников и диэлектриков

Диссертационная работа:

Софронов Владимир Михайлович. Исследование физических свойств ВТСП купратов в рамках модели сверхпроводящего спаривания с отталкивательным взаимодействием : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Софронов Владимир Михайлович; [Место защиты: Моск. гос. ин-т электронной техники].- Москва, 2007.- 106 с.: ил. РГБ ОД, 61 07-1/1279

смотреть введение
Введение к работе:

Актуальность темы. В настоящее время к физике высокотемпературной сверхпроводимости привлечено внимание широкого круга специалистов. При этом особое значение приобрели высокотемпературные сверхпроводящие купратные соединения. Причиной этому послужили их необычные свойства, проявляемые как в сверхпроводящем, так и в нормальном состоянии. Среди которых можно выделить следующие:

1. высокая критическая температура сверхпроводящего перехода,

тс;

  1. отличная от s-muna симметрия сверхпроводящего параметра порядка;

  2. особенности фазовой диаграммы: близость антиферромагнитного и сверхпроводящего состояния, существование последнего в ограниченной области по концентрации носителей, наблюдаемая область псевдощелевого состояния при температуре выше критической Т > Тс;

  3. наблюдаемое "нарушение" оптического правила сумм;

  4. структура пик-провал-горб (peak-dip-hump) в спектрах фотоэмиссии с угловым разрешением (ARPES) и в туннельных спектрах, асимметрия туннельных спектров относительно нулевого напряжения;

  5. малая величина интенсивности андреевского отражения по сравнению с обычными сверхпроводниками и образование андреевских поверхностных состояний;

7. статическая и динамическая структура страйпов; Основным структурным элементом слоистых купратных соединений являются медно-кислородные плоскости, атомные слои между которыми играют роль резервуаров, поставляющих при дырочном или электронном допировании избыточные носители в эти плоскости. Пренебрегая взаимодействием между медно-кислородными плоскостями, купраты рассматривают как квазидвумерные системы.

Накопленное к настоящему времени огромное количество экспериментальных данных требуют теоретической интерпретации. Однако ни одна из предложенных на настоящее время моделей не лишена недостатков и не позволяет объяснить всю совокупность экспериментальных фактов. Таким образом, несмотря на множество существующих моделей, развиваемых для объяснения свойств этого класса материалов, вопрос о механизме сверхпроводимости в них до сих пор остается открытым.

Развиваемая в последние годы модель сверхпроводящего спаривания с большим суммарным импульсом при отталкивательном взаимодействии (модель К-спаривания) позволяет дать качественную интерпретацию ключевым экспериментальным данным, а также устанавливает явную зависимость критической температуры от физических параметров системы.

Цель работы. Целью работы является интерпретация экспериментальных данных, несущих ключевую информацию о механизме сверхпроводимости купратов, а именно особенностям туннельных характеристик, оптической проводимости, андреевского отражения, фотоэмиссионной спектроскопии с угловым разрешением, что ведет к

более глубокому пониманию природы высокотемпературной сверхпроводимости.

В работе приведены аргументы, которые позволяют считать, что основным каналом спаривания в ВТСП купратах является спаривание с большим суммарным импульсом К (К « 2kF).

Научная новизна работы. Впервые в рамках модели сверхпроводящего спаривания с большим суммарным импульсом с отталкиватель-ным взаимодействием дана интерпретация форме и асимметрии туннельных характеристик, угловой зависимости спектральной плотности фотоэмиссионной спектроскопии с угловым разрешением, наблюдаемому "нарушению" оптического правила сумм, малой интенсивности андреевского отражения по сравнению с обычными сверхпроводниками.

Практическая значимость. Реализация огромных возможностей, связанных с применением высокотемпературных сверхпроводящих (ВТСП) материалов в энергетике, электронике и вычислительной технике может привести к резкому скачку научно-технического прогресса и экономики. Однако использование ВТСП соединений затруднено из-за низких значений критических параметров (критических токов, критических магнитных полей, критических температур). Результаты работы позволят глубже понять природу высокотемпературной сверхпроводимости и позволят наметить пути повышения значений критических параметров.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Благодаря особой зависимости сверхпроводящего параметра порядка от импульса относительного движения пары при сверхпроводя-

щем спаривании с большим суммарным импульсом туннельный спектр асимметричен относительно нулевого напряжения и имеет структуру "пик-провал-горб".

  1. При спаривании с большим суммарным импульсом при отталки-вательном взаимодействии андреевское отражение оказывается подавлено.

  2. Наблюдаемое "нарушение" оптического правила сумм связано с электрон - дырочной асимметрией, возникающей при спаривании с большим суммарным импульсом.

Достоверность результатов. Достоверность проведенных теоретических исследований обеспечивается строгим математическим обоснованием предлагаемых подходов и методов, а также сравнением с теоретическими и экспериментальными данными, известными в литературе.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на международной конференции "Фундаментальные проблемы сверхпроводимости" (Звенигород) в 2004 и 2006 гг.; восьмой международной конференции "Materials and Mechanisms of Superconductivity High Temperature Superconductors VIII" (Дрезден. 2006 г.); международной зимней школе по физике полупроводников (С.Петербург. Зеленогорск 2005 г.).

По содержаниям исследований, составляющих содержание диссертации, опубликовано 7 научных работ, список которых приведен в конце реферата.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из Введения и 4 глав, Заключения и списка литературы. Список литературы содержит 96 наименований.

Подобные работы
Рахимов Одил
Исследование скоплений компенсирующих центров в полупроводниках и их взаимодействия с точечными собственными дефектами
Сизов Дмитрий Сергеевич
Светоизлучающие приборы на основе квантовых точек InGaN: технология эпитаксиального выращивания и исследование свойств
Дорохин Михаил Владимирович
Исследование свойств светоизлучающих эпитаксиальных GaAs структур, содержащих ферромагнитные слои
Шевченко Ольга Юрьевна
Исследование электронных свойств бесщелевых Cd(x)Hg(1-x)Te, HgTe, HgSe и узкощелевых (TlBiS2)x - (TlBiSe2)1-x полупроводников методом эффекта поля в системе полупроводник - электролит
Гусейнов Марат Керимханович
Получение твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x методом магнетронного распыления и исследование их свойств
Ластовка Владимир Викторович
Исследование электрических и оптических свойств ZnSe, ионно-легированного In+ и As+ и излучающих структур на его основе
Мамедов Амандурды
Исследование влияния дефектов решетки на свойства монокристаллов CdSiAs2
Власов Алексей Сергеевич
Оптические исследования эффектов влияния спонтанного упорядочения атомов на свойства твердых растворов InGaP_2, In_xGa_1-xAs и GaAs_1-xSb_x
Косенко Дарья Ивановна
Исследование свойств космических взрывов по их взаимодействию с межзвездной средой
Гофман Юрий Иосифович
Исследование влияния взаимодействия ионов 12С с ядрами 27Аl на механические свойства алюминиевых мишеней в процессе облучения

© Научная электронная библиотека «Веда», 2003-2013.
info@lib.ua-ru.net