Электронная библиотека Веда
Цели библиотеки
Скачать бесплатно
Доставка литературы
Доставка диссертаций
Размещение литературы
Контактные данные
Я ищу:
Библиотечный каталог российских и украинских диссертаций

Вы находитесь:
Диссертационные работы России
Физико-математические науки
Физика полупроводников и диэлектриков

Диссертационная работа:

Дорохин Михаил Владимирович. Исследование свойств светоизлучающих эпитаксиальных GaAs структур, содержащих ферромагнитные слои : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Дорохин Михаил Владимирович; [Место защиты: Нижегор. гос. ун-т им. Н.И. Лобачевского].- Нижний Новгород, 2007.- 136 с.: ил. РГБ ОД, 61 07-1/1299

Подобные работы
Торхов Николай Анатольевич
Влияние атомарного водорода на свойства тонких эпитаксиальных слоев n-GaAs и структур на их основе
Соболев Михаил Михайлович
Электронно-зондовые исследования слоев GaA3 и структур на их основе
Власов Алексей Сергеевич
Оптические исследования эффектов влияния спонтанного упорядочения атомов на свойства твердых растворов InGaP_2, In_xGa_1-xAs и GaAs_1-xSb_x
Агафонов Александр Иванович
Перенос заряда в аморфных диэлектрических слоях структур металл-диэлектрик-полупроводник в сильных электрических полях
Абдэль-Ваххаб Абдэль-Кадер Базбаз Хийярат
Влияние условий роста на структуру и свойства эпитаксиальных слоев (SiC)1-x (AlN) x
Жигунов Денис Михайлович
Фотолюминесцентные свойства ионов эрбия в слоях твердых растворов кремний-германия и в структурах с кремниевыми нанокристаллами
Комков Олег Сергеевич
Исследование эпитаксиальных слоев GaAs и одиночных квантовых ям (In, Ga)As/GaAs методами фото- и электроотражения
Хабибуллина Наиля Рашидовна
Исследование нанокомпозитных металлополимерных слоев, синтезированных высокодозной имплантацией ионов 3d-элементов
Заварин Евгений Евгеньевич
Исследование особенностей процесса газофазной эпитаксии слоев GaN и AlGaN из металлорганических соединений и оптимизация роста на подложках сапфира и SiC для приборных применений
Сизов Дмитрий Сергеевич
Светоизлучающие приборы на основе квантовых точек InGaN: технология эпитаксиального выращивания и исследование свойств

© Научная электронная библиотека «Веда», 2003-2013.
info@lib.ua-ru.net