Электронная библиотека Веда
Цели библиотеки
Скачать бесплатно
Доставка литературы
Доставка диссертаций
Размещение литературы
Контактные данные
Я ищу:
Библиотечный каталог российских и украинских диссертаций

Вы находитесь:
Диссертационные работы России
Физико-математические науки
Физика полупроводников и диэлектриков

Диссертационная работа:

Верозубова Галина Александровна. Дифосфид цинка-германия: синтез, кристаллизация и исследование дефектов структуры : диссертация ... кандидата технических наук : 01.04.10.- Томск, 2005.- 180 с.: ил. РГБ ОД, 61 06-5/75

смотреть содержание
смотреть введение
Содержание к работе:

Введение 5

Глава 1. Физико-химические проблемы получения ZnGeP2 (обзор

литературных данных) 17

1.1 Физико-химические свойства ZtiGeP2 17

1.2. Синтез ZnGeP2 из элементарных компонент 19

1.2.1. Однотемпературньтй метод синтеза ZnGeP2 19

L2.2. Синтез ZnGePj при инжекции фосфора 21

1.2.3. Метод двухтемпературного синтеза 22

1.3 Получение монокристаллов ZnGeP2 из расплава 24

1.4. Оптические свойства кристаллов ZnGeP2 27

Выводы по главе 1 30

Глава 2. Методы получения монокристаллов ZnGeP2 и исследования их

свойств 34

2.1. Методика подготовки экспериментов по синтезу и росту 34

2.1.1, Методика экспериментов по синтезу ZnGeP2 34

2.1.2. Методика подготовки экспериментов по

выращиванию монокристаллов ZnGeP2 из расплава 35

  1. Методика постростового термического отжига 38

  2. Методика облучения образцов ZnGeP2 электронами 40

2.5. Измерение оптической прозрачности в кристаллах ZnGeP2 41

2.6. Методика ПЭМ исследований 43

2.6.1 .Методы приготовления объектов ПЭМ исследований 43

2.6.2. Методики анализа параметров структуры монокристаллов 44

  1. Рентгеновский структурнофазовый анализ 45

  2. Оптическая микроскопия 46

Выводы по главе 2 46

Глава 3. Получение ZnGeP2 номинально стехиометрического состава. Физико-химические процессы синтеза дифосфида цинка-германия [75-

78,85,86] 48

3.1 Особенности применения известных двухтемпературных методик

для синтеза ZnGep2 49

  1. Диффузионный поток цинка в паровой фазе при двухтемпературном методе синтеза ZnGeP2 52

  2. Химические превращения при двухтемпературном синтезе ZnGe?2 55

3.4. Оптимизация температурно-временной зависимости процесса

двухтемпературного синтеза ZnGeP2 70

Выводы по главе 3 79

Глава 4. Выращивание монокристаллов ZnGeP2 методом Бриджмена в
вертикальном варианте [75-78, 85,86] 81

4.1. Факторы, влияющие на форму фронта кристаллизации в вертикальной
ростовой установке бриджменовского типа 81

4.2. Определение отношения удельных теплопроводностеи жидкого и
твердого ZnGeP2 при температуре плавления 86

4.3. Спонтанная кристаллизация и выращивание на затравку Двойникование.
Выбор ориентации затравок 107

Выводы по главе 4 117

Глава 5. Исследование дефектов структуры кристаллов ZnGeP2 [91, 93,

94,99-101] 119

5.1 Полосчатая неоднородность 120

5.2. Включения вторых фаз 127

  1. Включения микронных размеров 127

  2. Включения нанометровых размеров 134

5.3. Оптическое поглощение и точечные дефекты 138

Выводы по глав е5 151

Заключение 154

Литература 157

Приложения 169

Приложение 1. Акт о внедрении технологических процессов 170

Приложение 2 Акты об использовании нелинейно-оптических элементов,

изготовленных из монокристаллов ZnGeP2 171

Приложение 3 Акт об использовании поликристаллического материала... 177
Приложение 4 Копия свидетельства о присуждении премии на
международной конференции по росту кристаллов ICCG-13 179

Введение к работе:

Прогресс в ряде областей новой техники во многом определяется успехами в получении высококачественных полупроводниковых материалов сложного состава. Из семейства тетраэдрических фаз особый интерес представляют полупроводники со структурой халькопирита, в частности полупроводники A2B4GS2, являющиеся кристаллохимическими и электронными аналогами соединений А В . Уже более 30 лет назад было установлено [1], что эти соединения характеризуются высокими значениями электрической восприимчивости второго порядка и сильной анизотропией оптических и фотоэлектрических свойств, что представляет значительный интерес для применения кристаллов, этих соединений в нелинейной оптике и оптоэлектронике.

ZnGeP2, полупроводниковое соединение из группы А В4С52, имеет потенциально широкий диапазон прозрачности в средней ИК области спектра, высокое значение электрической восприимчивости второго порядка (ёзб= 75-10" м/В), среди халькопиритных материалов уступающее по величине только соединению CdGeAs2, значительное двулучепреломление, достаточное для фазового согласования, малую температурную зависимость индексов преломления, и относительно высокую удельную теплопроводность [2,3].

Все эти свойства делают материал очень перспективным для параметрического преобразования частоты лазерного излучения в области 0,8 -11 мкм. Высокая теплопроводность материала и слабая температурная зависимость показателей преломления позволяют использовать оптические пучки высокой мощности. Наиболее сильно преимущества кристаллов ZnGeP2 раскрываются при создании когерентных источников оптического излучения, перестраиваемых по частоте в широком диапазоне длин волн -2,5- 11 мкм, или, как их называют, параметрических генераторов света (ПГС). Такие источники являются важной составной частью оптических

приборов и систем с новыми, нетрадиционными функциями, имеющими большое прикладное значение для дистанционной спектроскопии высокого разрешения [4].

Однако, физико-химические свойства ZnGeP2 таковы, что стабильное получение совершенных монокристаллов с оптическим качеством, пригодным для ПГС, является трудной научной и технологической проблемой. Хотя, как было сказано выше, уникальные нелинейно-оптические свойства ZnGeP2 известны уже давно, успехи в получении совершенных монокристаллов не были столь велики, чтобы реализовать потенциальные возможности практического применения материала в качестве ПГС.

Наличие в составе соединения двух летучих компонентов (цинка и фосфора), возможность формирования термически устойчивых бинарных фосфидов цинка и относительно высокая температура плавления ZnGeP2 (1027С) создают целый комплекс проблем, приводящий к тому, что высокопроизводительный и воспроизводимый синтез данного соединения является сложной технологической задачей.

Из-за высокого давления фосфора, развивающегося при повышенных температурах, однотемпературная методика синтеза не может быть масштабирована для получения больших количеств ZnGeP2. Кроме того, одной из проблем в этом методе является разгерметизация ампул [5].

Обычно для разлагающихся полупроводников применяется метод двухтемпературного синтеза [6]. Однако, стандартный двухтемпературный метод непригоден для синтеза ZnGep2. При фиксированной температуре холодной зоны, как это бывает в стандартном методе, летучие бинарные фосфиды цинка будут конденсироваться в более холодных частях реактора, и состав тройного соединения будет существенно отличаться от стехиометрического. Поэтому, должна применяться модифицированная методика синтеза, при которой температура холодной зоны поднимается после реакции.

К началу работы над диссертацией были развиты две методики, модифицированного двухтемпературного синтеза [8, 9, 103], позволяющие получать несколько сотен граммов ZnGePi за один процесс. Однако, при использовании этих методик около 50% экспериментов заканчивались взрывами (разгерметизацией) ампул.

Другая проблема - стабильное получение монокристаллических слитков, свободных от трещин и двойников, таюке не была решена - выход монокристаллов составлял, в лучшем случае, 20 % от числа ростовых экспериментов. Несмотря на очень большой объемфабот по выращиванию монокристаллов соединения ZnGeP2, выполненный: в 70- 80-х годах прошлого столетия [1, 7-18, 103-109]; и даже определенные успехи (были получены большие монокристаллы ZnGeP2, диаметром 25 мм и длиной около 150 мм [8,10]) из-за анизотропии коэффициентов термического расширения; полученные монокристаллы, часто растрескивались [8]. Вследствие растрескивания выход монокристаллических образцов- ZnGep2, пригодных для нелинейно-оптических приложений, составлял:не более 5 % [8]. Кроме того, для выращивания кристаллов использовались процессы со спонтанным зародышеобразованием, при котором^ получение монокристалла является случайным «a'priori». Ясно, что для стабильного и устойчивого получения монокристаллических слитков следует использовать затравочный рост, как это применяется для промышленно развитых полупроводниковj например, таких как GaAs. При этом следует принимать во внимание характер анизотропии кристаллографической* структуры ZnGeP2,, из-за чего не все кристаллографические направления будут приемлемыми для получения монокристаллов, свободных от трещин и двойников. Однако, решения технических и методических вопросов по применению метода затравочного роста для получения кристаллов ZnGeP2 до выполнения данной работы не были известными.

Помимо этого, при выращивании монокристаллов ZnGeP2 следует обратить внимание на форму фронта кристаллизации. Известно [19], что с

8 точки зрения селекции зародышей на начальной стадии роста кристаллов при спонтанной, беззатравочной, кристаллизации выпуклая граница раздела является более предпочтительной. Однако, неплоская форма границы раздела «расплав-кристалл» может приводить к формированию неоднородных в поперечном сечении слитков, что в ряде случаев оказывается неприемлемым. При выращивании кристаллов из расплава в вертикальной установке бриджменовского типа, основными факторами, определяющими форму границы раздела, являются температурный профиль внутри термической установки и удельные теплопроводности жидкой и твердой фаз или отношение этих теплопроводностей при температуре плавления [80-82]. Поэтому, для анализа возможной формы фронта кристаллизации, а также для создания оптимального температурного профиля при выращивании кристаллов из расплава необходимо знание этого отношения.

В каждой работе по выращиванию кристаллов обращается внимание на реальную структуру получаемого материала, поскольку свойства кристаллов в большей или меньшей степени зависят от их фактической структуры. При этом обычно решаются следующие вопросы. Какой реальной структурой обладает выращенный кристалл? Чем вызваны отдельные проявления реальной структуры? Какое действие она оказывает на качества кристалла, предназначенные для области применения?

Как уже отмечалось выше, ZnGeP2 содержит в своем составе два летучих компонента, цинк и фосфор, способных образовывать устойчивые бинарные соединения при осаждении этих компонентов из паровой фазы. В связи с этим следует ожидать, что в неизотермических условиях, реализующихся при синтезе и кристаллизации материала, возможно формирование этих бинарных соединений и нарушение стехиометрического состава тройного соединения. Поэтому, следует обратить большое внимание на формирование дефектов, возникающих из-за «легирования собственными компонентами». В частности, для легированных кристаллов возможны такие

9 проявления реальной структуры, как ростовая полосчатость и включения вторых фаз.

Кроме того, можно также ожидать больших концентраций собственных точечных дефектов, создающих уровни в запрещенной зоне полупроводника и сильно влияющих на его электрические и оптические свойства. Действительно, давно известно [1,8,10, 17,18,20-22, 110-114], что в области прозрачности ZnGeP2 (0,65-12 мкм) существует сильное примесное поглощение света для длин волн 0,65-2,5 мкм. Причем, это поглощение существует во всех кристаллах ZnGeP2) выращенных из расплава. Высокое поглощение является препятствием для использования кристаллов ZnGeP2 как параметрических генераторов света при накачке когерентным излучением в области длин волн 1-2 мкм, в частности, при накачке твердотельным лазером с активной средой Ho,Tm:YLiF4, генерирующим длину волны 2,06 мкм.

Из литературных источников известно [16,17,21,22,60,61,113,114] что такие постростовые обработки как термический отжиг и облучение электронами высоких энергий значительно понижают примесное поглощение. Однако, реальной адаптации этих процессов для получения кристаллов ZnGeP2 с оптическим качеством, пригодным для использования в качестве ПГС, до начала работы над диссертацией не было проведено.

Как следует из перечисленных выше посылок, для реализации потенциальных возможностей практического применения ZnGeP2 в нелинейно-оптических устройствах необходимо решить комплекс физических, физико-химических и технологических задач, направленных на стабильное получение монокристаллов высокого оптического качества. Такой комплекс задач включает в себя всю цепочку получения материала: синтез из элементарных компонентов, выращивание монокристаллов и последующая модификация свойств, важных с точки зрения применения, путем различных постростовых обработок.

Основной целью настоящей работы является создание технологических и методических основ стабильного, воспроизводимого получения монокристаллов ZnGeP2 без трещин и двойников, с оптическим качеством, пригодным для нелинейно-оптических приложений. Для достижения поставленной цели в работе решаются следующие задачи:

исследование физико-химических процессов, происходящих при двухтемпературном синтезе ZnGeP2;

- определение отношения удельной теплопроводности жидкого ZnGeP2 к
удельной теплопроводности твердого ZnGeP2 при температуре плавления и
моделирование формы границы раздела фаз при выращивании ZnGeP2 из
расплава в зависимости от температурного профиля ростовой установки;

- определение оптимальных кристаллографических направлений при
выращивании ZnGeP2 на затравку;

- изучение реальной структуры монокристаллов ZnGeP2) выращенных из расплавов разного состава, а также прошедших постростовые обработки.

Указанные задачи решались в рамках выполнения следующих программ: Программы СО РАН №28.2 (2004-2006), №5.2.2. (2001-2003), № 11.9 (2003) № 01.20,0001884 (1998-2001), Правительственные программы «Создание элементной базы для нового поколения высокоточных систем вооружения (шифр «Струна», 2000-2003)» и «Разработка технологии создания монокристаллических элементов интегрированного резонатора ПГС для твердотельных лазеров ПЛД» (шифр «Карат-Полюс», 2002-2003)».

Диссертация состоит из пяти глав, выводов по работе и приложения.

11 Положения, выносимые на защиту

1. При двухтемпературном методе синтеза, ZnGep2 его образование происходит в два этапа: на первом этапе образуются бинарные фосфиды цинка и, германия, на втором этапе происходит образование ZnGeP2. Основными химическими соединениями и элементами, через которые происходит образование ZnGeP2, являются ZnP2, Zn3P2, GeP и Ge.

2.. Повышение давления фосфора до 10-М атм и уменьшение температуры горячей зоны; (зоны синтеза) ниже температуры плавления тройного соединения до 1010С при проведении реакции подавляют диффузию второго летучего компонента (Zn) в газовой фазе и позволяют реализовать условия для двухтемпературного синтеза ZnGeP2 с раздельной; загрузкой фосфора в холодную зону.

3; Отношение удельной1 теплопроводности: жидкого ZnGeP2 К; удельной теплопроводности твердого ZnGeP2 при температуре: плавления; материала составляет Ki/Ks ~ 2,3±0,3.

4. Основными микронеоднородностями В; кристаллах ZnGeP2,

выращенных из расплава, являются полосы роста и включения! вторых фаз, которые формируют линейные структуры вдоль оси роста; Полосы роста связаны с колебаниями, температуры в; ростовой^ установке и вызывают локальные изменения оптической прозрачности. Линейные структуры включений обусловлены накоплением избыточных компонент при выращивании ZnGeP2 из расплава в условиях вогнутой границы раздела фаз. Включения являются основным фактором, определяющим уровень оптических потерь в окне максимальной прозрачности (3-8 мкм).

Научная новизна работы

1. Впервые экспериментально исследованы физико-химические превращения, протекающие при двухтемпературном методе синтеза ZnGeP2. Установлено, что синтез тройного соединения происходит после завершения реакции элементарного фосфора с металлическими компонентами; Показано,

12 что в отличие от однотемпературного метода синтеза образование ZnGeP2 происходит не только через ZnP2 и Ge, но и через ZH3P2 и GeP; 2. Впервые экспериментально определена величина отношения удельной теплопроводности жидкого ZnGeP2 к удельной теплопроводности твердого ZnGeP2. При температуре плавления ZnGeP2 (1027G)< величина этого отношения составляет 2,3±0,3.

3; Получены новые данные о формировании ростовых микродефектов в, кристаллах ZnGeP2 в связи; с условиями их выращивания и составом расплава. Обнаружено, что полосы роста и включения вторых фаз, которые формируют линейные структуры, вдоль оси роста, являются основными микронеоднородностями монокристаллов ZnGeP2. У становлено, что природа полос роста связана с колебаниями температуры, обусловленными работой системы терморегулирования; ростовой установки. Впервые показано,. что формирование линейных структур включений связано с вогнутостью фронта кристаллизации при выращивании ZnGeP2 из расплава. Состав включений соответствует смеси из ZiVjPi) ZnGeP2 и Ge.

4. Впервые проведены, систематические исследования влияния выявленных
микронеоднородностей на: оптическую прозрачность. материала. Показано,.
что ростовая полосчатость вызывает локальные немонотонные изменения
оптической прозрачности вдоль оси роста. Показано, что в окне
максимальной прозрачности (3-8 мкм) линейные структуры включений
являются основным фактором, определяющим уровень оптических потерь.

5. Впервые проведены- исследования: образцов; ZnGeP2 методом
просвечивающей электронной микроскопии. Обнаружено, что кристаллы
ZnGeP2, выращенные из номинально стехиометрических расплавов, содержат
включения второй фазы нанометровых размеров с составом,
соответствующим фосфиду германия.

6. Получены новые экспериментальные данные о спектрах оптического
поглощения монокристаллов ZnGeP2 в состоянии сразу после роста, после
термического отжига и после облучения электронами с энергией 4 МэВ.

13 Выяснено, что оптическое поглощение в области длин волн 0,65-0,9 мкм обусловлено точечными дефектами вакансионной природы

Практическая ценность работы

1. Разработана более безопасная и более производительная, по сравнению с
ранее известными методами, методика модифицированного
двухтемпературного синтеза ZnGeP2, позволяющая получать более 500
граммов за один процесс. На основе этой методики были разработаны
методики двухтемпературного синтеза других тройных соединений из
группы А2В4С52: CdGeP2 и CdGeAs2.

  1. Разработан комплекс технологических приемов выращивания высококачественных монокристаллов ZnGeP2 вертикальным методом Бриджмена с коэффициентами оптического поглощения 0;Г- 0,05 см"1 в окне максимальной прозрачности (3-8 мкм) и 0,3-0,5 см" на длине волны 2,06 мкм. Одним из элементов этого комплекса является применение затравок с ориентацией {100}, позволяющих получать кристаллы без двойников и трещин. При использовании разработанных приемов выход монокристаллов составляет около 80 процентов от числа ростовых экспериментов,

  2. Определены режимы послеростового термического отжига монокристаллов ZnGeP2, уменьшающие исходный уровень примесного оптического поглощения в 2 - 3 раза и позволяющие снизить коэффициент поглощения на длине волны 2,06 мкм до 0,08 - 0,25 см"1.

4. Определены оптимальные режимы радиационной обработки кристаллов
ZnGeP3 (облучение электронами с энергией 4 МэВ), уменьшающие
оптическое поглощение на длине волны 2,06 мкм до 0,02 см*1,.что позволяет
использовать кристаллы ZnGeP2 для создания мощных и
высокоэффективных ПТС с длиной волны накачки 2,06 мкм.

Внедрение (использование) результатов работы

Результаты данной работы, в частности методика двухтемпературного синтеза ZnGeP2 (а также GdGeP2 и CdGeAs2), методика выращивания монокристаллов ZnGeP2 из расплава, технологические режимы термического отжига и облучения ZnGeP2 электронами внедрены, (используются) в ИМКЭС СО РАН.

Нелинейно-оптические элементы, изготовленные из монокристаллов ZnGeP2, выращенных по разработанным методам и режимам, используются Российскими (Институтом Общей физики РАН, г. Москва, Всероссийским научно-исследовательским институтом экспериментальной физики, г. Саров; ФГУП НИИ «Полюс», г. Москва, Военно-воздушной инженерной академией им. В.Е. Жуковского, г. Москва) и зарубежными научно-исследовательскими учреждениями (Harbin Institute of Technology, Китай, EKSPLA UAB, Литва, MolTech GmbH; Германия), За рубеж поставляется также монокристаллический и поликристаллический ZnGePj (Великобритания, США, Франция, Сингапур).

Апробация работы

Основные результаты работы были доложены на следующих конференциях: International Workshop "The Control- of Stoichiometry in Heterostructures: Interfacial Chemistry-Property Relations", Suhlj Germany, 20-27 August 1995, International Workshop on Nonlinear Materials, 15 April 1997, DERA Malvern, UK, The Second International Symposium "Modern Problems of Laser Physics" July 28-Aug,2, 1997, Intern, Conference on Atomic and Molecular Pulsed Lasers II, 22-26; Sept., 1997, Tomsk, Russia, Междун. Симпозиум "Контроль и реабилитация окружающей среды", 17-19 июня, Томск, Россия, 1997, The Twelfth Intern. Conference on Crystal Growth ICCG-12, 26-31 July, 1998, Jerusalem, Israel, International Workshop on Nonlinear Materials, 21-22 September 1998, DERA Malvern, UK, International Workshop on Nonlinear Materials, 20-21 September 1999, DERA Malvern, UK, Russia, Material Research Society Fall Meeting, 29 Nov.- 3 Dec. 1999, Boston, USA, 5th Conference on Modification of Materials with Particle Beams and Plasma Flows, 24-29

15 September 2000, Tomsk, Russia, Второй Международный симпозиум «Контроль и реабилитация окружающей среды», 19-21 июля 2000, International Conference on Crystal Growth ICCG-13flCVGE-11, Japan, Kyoto, 30 July - 4 August 2001, 6-th International Conference on Modification of Materials with Particle Beams and Plasma Flow, 23-28 September, 2002, Tomsk, Russia, третий Международный симпозиум «Контроль и реабилитация окружающей среды», 10-12 июля 2002, International Quantum Electronics Conference (IQEC/Lat 2002), 22-27 June 2002, Moscow, Russia, IX Joint International Symposium "Atmospheric and Ocean Optics, Atmospheric Physics", Tomsk, Russia, 2-5 July 2002, Material Research Society Fall Meeting 2002, 2-6 December 2002, Boston, MA, USA, First International Symposium on Point defect and Nonstoichiometry (ISPN2003) Sendai, Japan, 20-23 March, 2003, Вторая Международная конференция по физике кристаллов, посвященная памяти М.П. Шаскольской, 28-31 октября 2003, Москва, Россия (МИСиС), International Conference on Crystal Growth ICCG-14/ ICVGE-12, Grenoble, France, August 2004.

Результаты, представленные в диссертационном исследовании были отражены в публикациях и докладах, удостоенных премий молодого ученого (Young Scientist Award) на международных конференциях по росту кристаллов (ICCG): ICCG-12, Израиль, ICCG-13, Япония, ICCG-14, Франция. Участие в конференции ICCG-13, Япония, было поддержано грантом РФФИ 01-02-26838. Работа поддерживалась грантами Defense Research Evaluation Agency, Великобритания (гранты ELM 1009, ELM 1165, CU008-95O, CU016-0950, CU016-4533) и МНТЦ (PA ISTC #2051/EOARD#00-7041).

Результаты исследований опубликованы в 43 научных работах, включая 2 авторских свидетельства и 12 статей в рецензируемых изданиях.

Диссертация выполнена в Институте мониторинга климатических и экологических систем СО РАН. В ходе выполнения работы в ней принимали участие сотрудники ИМКЭС СО РАН, ИФПМ СО РАН, ТПУ, ТГАСУ. Рентгеновский структурнофазовый анализ проводился н.с, ИФПМ СО РАН,

к.ф.-м.н. Ю.ГТ. Мироновым, исследования образцов методом

просвечивающей электронной микроскопии проводились профессором кафедры физики ТГАСУ д.ф.-м.н. Ю.Ф.Ивановым, эксперименты по облучению образов электронами проводились в. н. с. Томского политехнического университета к.т.н. Н.Т. Юндой, измерения оптической прозрачности выполнены н.с. ИМКЭС СО РАН А.Ю. Трофимовым, тепловые расчеты проведены с.н.с. ИМКЭС СО РАН В.В. Коротковой.

Автор выражает благодарность всем сотрудникам, принимавшим участие в проведении исследований и обсуждении результатов.

Личный вклад автора

  1. Совместно с руководителями определение целей и задач настоящей работы, а таюке методов их реализации. Автору принадлежат идеи основных экспериментов, представленных в данной работе.

  2. Проведение экспериментов по синтезу ZnGeP2, экспериментов по изучению химических превращений при двухтемпературном синтезе ZnGeP2, исследованию временной зависимости расхода фосфора при вариации его давления и влияния давления фосфора на количество летучих компонентов, осаждающихся вне зоны реакции.

  3. Выращивание монокристаллов ZnGeP2. Проведение экспериментов по определению отношения удельных теплопроводностей жидкой и твердой фаз ZnGeP2 при температуре плавления. Проведение экспериментов по термическому отжигу. Проведение экспериментов по оптической микроскопии.

  4. Обработка и интерпретация расчетных и экспериментальных данных, представленных в диссертационной работе.

Автор выражает благодарность Л. Г. Лаврентьевой и А.И. Грибенюкову за научное руководство, поддержку и обсуждение результатов.

Подобные работы
Каданцев Алексей Васильевич
Электрофизические методы исследования дефектов с глубокими уровнями в многослойных структурах на основе полупроводников
Соболев Михаил Михайлович
Дефекты с глубокими уровнями в структурах А3В5 и их взаимодействие с квантовыми точками
Иванов Валерий Александрович
Дефектно-примесная структура монокристаллов теллурида цинка и создание излучающих диодов на их основе
Мамедов Амандурды
Исследование влияния дефектов решетки на свойства монокристаллов CdSiAs2
Давыдов Денис Викторович
Исследование радиационных дефектов в карбиде кремния емкостными методами
Рахимов Одил
Исследование скоплений компенсирующих центров в полупроводниках и их взаимодействия с точечными собственными дефектами
Носихин Евгений Анатольевич
Теоретическое исследование влияния дефектов структуры на свойства распространения ультразвука в твердых телах при фазовых переходах второго рода
Раупов Наимджон Набиджонович
Исследование влияния дефектов структуры пьезоэлектрических кристаллов на спектры комбинационного рассеяния света
Зин Мин У
Исследование изменений электронной структуры и параметров дефектов в сплавах на основе Ni-Cr методом аннигиляции позитронов
Виноградова Маргарита Рудольфовна
Дефекты структуры, механические, электрические и магнитные свойства монокристаллических пленок феррошпинелей

© Научная электронная библиотека «Веда», 2003-2013.
info@lib.ua-ru.net