Электронная библиотека Веда
Цели библиотеки
Скачать бесплатно
Доставка литературы
Доставка диссертаций
Размещение литературы
Контактные данные
Я ищу:
Библиотечный каталог российских и украинских диссертаций

Вы находитесь:
Диссертационные работы России
Технические науки
Твердотельная электроника

Диссертационная работа:

Туринов Валерий Игнатьевич. Создание фотодиодов на основе InSb, PbTe и Cd_x Hg_1-x Te и анализ их функционирования в составе оптико-электронных систем : Дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 05.27.01 : Фрязино, 2004 273 c. РГБ ОД, 71:05-1/127

смотреть содержание
смотреть введение
Содержание к работе:

Содержание 2

Введение 4

1 Состояние проблемы и задачи исследования 12

1.1 Фотоприемники ИК диапазонов 3...5и8...14 мкм 12

1.2 Состояние проблемы согласования параметров приемников и оптико-электронных систем

1.3 Задачи исследования 21

2 Параметры фотодиодов ИК диапазонов 3... 5 и 8... 14 мкм 23

2.1 Чувствительность и обнаружительная способность фотодиодов 23

2.2 Коэффициент поглощения в кейновских полупроводниках 25

2.3 Квантовая эффективность фотодиодов 29

3 Измерение параметров материалов и исследование их свойств 32

3.1 Разработка методов и средств контроля электрофизических и фотоэлектрических параметров материалов InSb, РЬТе и CdHgTe

3.2 Исследование электрофизических свойств InSb и РЬТе 35

3.3 Исследование электрофизических свойств CdHgTe 40

3.4 Выводы 59

4 Фотодиоды на InSb, РЬТе и CdHgTe 61

4.1 Технология изготовления фотодиодов на InSb, РЬТе и CdxHgi xTe 61

4.2 Исследование электрических характеристик фотодиодов на InSb и РЬТе 67

4.3 Исследование электрических характеристик фотодиодов на CdHgTe 75

4.4 Квантовая эффективность, чувствительность и обнаружительная способность фото диодов на InSb, РЬТе и CdHgTe

4.5 Фотогальванические многоцветные приемники инфракрасного диапазона 118

4.6 Конструкция и параметры фотодиодов ИК диапазона 133

4.7 Выводы 140

5 Фотоприемники в составе оптико-электронных систем 143

5.1 Крутизна преобразования фотодиодов с кейновской зонной структурой 143

5.2 Оптическая передаточная функция фотодиодов ИК диапазона с кейновской зонной структурой

5.3 Фотодиоды для гетеродинного детектирования на СОг-лазере 153

5.4 ороговая разность температур оптико-электронной системы с фотодиодами на основе твердых растворов

5.5 Фотодиоды ИК спектра с охлаждаемыми длинноволновыми фильтрами 173

5.6 Анализ параметров фотоприемных устройств с фотодиодами на CdHgTe 177

5.7 Иммерсионные фотодиоды ИК диапазона на CdHgTe 180

5.8 Выводы 196

6 Характеристики тепловых объектов и применение фотодиодов 198

6.1 Пространственно-частотная характеристика объекта переменной яркости 198

6.2 Передача контраста переменного по яркости объекта фото детектором с кольцевыми 202 p-w-переходами

6.3 Методы определения теплофизических характеристик материалов 210

6.4 Многоспектральная ИК дефектоскопия 222

6.5 Оптимизация блоков устройства для ИК дефектоскопии 233

6.6 Выводы 240

Заключение 242

Литература 24S

Приложение 267 

Введение к работе:

Из всей ИК области спектра к теме данной работы относятся два диапазона, 3...5и8...14 мкм, соответствующих окнам прозрачности атмосферы, на которые ориентируются разработчики оптико-электронных систем и приемников, функционирующих при температуре жидкого азота и конструктивно изготавливаемых в вакуумных криостатах.

Известна широкая гамма приемников на эти диапазоны, действующих на различных физических явлениях. В свою очередь системы можно разделить на три группы по способу сканирования пространства тепловых объектов. Это системы с одиночными приемниками, с линейками приемников и матрицами. К теме нашего исследования относятся приемники для систем первого и второго типов, таких как тепловизоры для медицинской диагностики, приборы ночного видения, приборы для наблюдения тепловых изображений промышленных зданий и линий электропередач, устройства для ИК дефектоскопии материалов, диагностики газов, приборы для поисковых и полицейских задач, охранные устройства, и ряд аналогичных им.

Тепловые, пироэлектрические приемники и примесные фоторезисторы не подходят для целей обозначенного применения. Эти приемники могут конкурировать с фотодиодами по основному параметру, обнаружительной способности D , а точнее по пороговой разности температур АГпор в составе систем, только в матричном исполнении.

Когда же требуется высокая чувствительность и быстродействие, то на диапазон 3.. .5 мкм отдают предпочтение приемникам на InSb [1], а на 8... 14 мкм приемникам из CdHgTe [2]. Отметим, что акцент разработок на этих материалах сместился в последнее время на создание фотодиодных линеек и матриц [3-5].

Приемники из РЬТе чувствительны в том же спектральном диапазоне, что и приемники из InSb. По D они находятся на уровне приемников из InSb, но из-за высокого значения диэлектрической константы, е8 = 400 [6] (по данным работы [7] eg = 800 при Т = 78 К), они не в состоянии конкурировать с приемниками из InSb на частотах выше/ 20 кГц, т. е. в системе со сканированием одиночными приемниками. Однако при современной тенденции перехода на матричное исполнение приборов ИК диапазона они вполне могут конкурировать с приемниками из InSb, когда частотный диапазон работы матричного приемника определяется только частотой кадра изображения. В этом случае та же е8 выступает уже как преимущество матрицы на РЬТе, более стойкой к электромагнитным помехам по сравнению с матрицей из InSb ( = 17.78 (78К) [6]). К тому же энтальпия образования PbTe#0f(298) = -16.39 ккал/моль в 2.3 раза выше, чем у InSb#0f(298) = -7.3 ккал/моль, и по величине сравнима с энтальпией образования такого широкозонного полупроводника как GaAs Н0{(29&) = -17.7 ккал/моль [6]. То есть приемники из РЬТе могут выдерживать без значительного ухудшения параметров дозы радиационного облучения примерно в 2.3 раза выше, чем приемники из InSb [8]. Это является одной из причин интереса к разработке и исследованию приемников на РЬТе, наряду с приемниками из InSb.

В области разработок тепловизионных систем широкого применения, предназначенных для наблюдения тепловых полей низкотемпературных объектов на уровне естественного фона, идет интенсивное освоение спектрального диапазона 8.14 мкм, приемники для которого разрабатывают в основном из CdHgTe [9-12]. Полупроводниковые твердые растворы CdHgTe, также как например PbSnTe и PbSnSe, привлекают внимание разработчиков тем, что они дают возможность, варьируя составом х, выбирать граничную длину волны Xm приемников и тем самым оптимизировать спектральные характеристики и интегральные параметры приемников и систем, в частности, проводить согласование со спектральными характеристиками пропускания атмосферы.

До начала постановки данной темы приемники на InSb в стране разрабатывали и изготавливали в виде фоторезисторов. Фотодиоды изготавливали меза-технологией из р-п-переходов, получаемых методом вытягивания из расплава. Из материала же CdxHgi-xTe изготавливали только фоторезисторы. Поскольку у фоторезисторов и меза-переходов ниже точность выдержки размеров, и связанных с ними фотоэлектрических параметров, чем у /?-«-переходов, получаемых методами ионной имплантации и планарной технологии, то это изначально накладывало ограничения на многие сферы их применения. Этот недостаток выступил на первый план особенно явно тогда, когда начался переход на создание линеек и матриц из этих материалов, например, с размерами /?-л-переходов 50x50 мкм и меньше, с зазором между ними меньше 10 мкм. Конструктивно приемники разрабатывали исключительно в металло-стеклянном исполнении. Основной недостаток таких криостатов - низкая термическая и механическая прочность.

Указанные материалы являются соединениями разных групп AInBY, А В™ и твердыми растворами переменного составах;, но по структуре энергетических зон относятся к так называемым кейновским узкозонным полупроводникам, что дает основание рассматривать и обобщать физические процессы в фотодиодах этой группы с единой точки зрения, при этом изготовленных единообразной технологией. Эти материалы имеют ряд особенностей, как, например, маленький коэффициент краевого поглощения и высокую подвижность электронов, что вызывает, в частности, при диффузии сильное размывание "пакета" фотоносителей по отношению к первичному потоку фотонов, поступающих на чувствительную площадку, и влияет на параметры фотодиодов. В литературе не ставились вопросы о влиянии этого эффекта на частотно-контрастную характеристику (ЧКХ) фотодиодов, и как это отражается на оптической передаточной функции (ОПФ) системы. Не решалась и такая задача, как согласование переменного по размерам и яркости теплового объекта, создаваемого на поверхности непрозрачного твердого материала излучением лазера, с условиями считывания сигналов системой, задача, которая относится к ИК дефектоскопии. Не рассматривалась и задача о ЧКХ фотодиода в виде кольцевогор-и-перехода, т. е. пространственный спектр, который он пропускает, и ряд других задач, указанных ниже в пункте научной новизны работы.

Сказанное выше определяет актуальность постановки работы, в которой необходимо было охватить проблему как создания фотодиодов ИК диапазонов 3.5 и 8.14 мкм методами современной ионной имплантации в сочетании с планарной технологией, пассивирующими и просветляющими покрытиями для обеспечения высокой квантовой эффективности TJ, конструктивно выполненных в полностью металлических криостатах с оптимальными масса-габаритными показателями, надежными и долговечными в эксплуатации, так и исследование их параметров во взаимосвязи с решением теоретических задач, рассматривающих функционирование их в составе систем.

Целью настоящей работы являлось разработка и исследование фотодиодов на InSb, РЬТе и CdHgTe ИК диапазонов 3...5и8...14 мкм и установление критериев согласования их параметров и параметров оптико-электронных систем для оптимального обнаружения и пространственного разрешения тепловых объектов.

Достижение поставленной цели требовало разработать основы единообразной технологии фотодиодов, определить их максимально достижимые теоретические и экспериментальные параметры, провести исследования функционирования фотодиодов в системах по обнаружению и распознаванию сложных, различной природы тепловых объектов в предельных условиях их применения, - на больших дистанциях наблюдения, при выявлении низкоконтрастных объектов, объектов с различной или переменной излучательной способностью є, - и установить критерии, с помощью которых можно прогнозировать параметры систем, а значит и новые области их применения.

При этом необходимо было выполнить следующие задачи.

1. Разработать основы единообразной технологии (планарной, с ионной имплантацией) фотодиодов на InSb, РЬТе и CdHgTe, провести исследование их с выявлением зависимости их параметров от свойств исходных материалов и режимов эксплуатации.

2. Решить теоретические задачи согласования фотодиодов с системами, с целью увеличения вероятности распознавания тепловых объектов путем улучшения контрастности их изображений, оптимизации системы и фотодиодов с атмосферным "окном" и с электронным трактом.

3. Разработать и теоретически обосновать новые методы измерения теплофизических констант материалов, позволяющие упростить процедуру измерений, уменьшить влияние є на результаты измерений, повысить точность измерений, расширить интервал значений измеряемой величины и номенклатуру возможно исследуемых материалов.

Научная новизна работы

1. Показано, что для отбора материала CdxHgi.xTe для изготовления фотодиодов с прогнозируемыми параметрами, помимо измерений RR И р0 при Т = 78 К, необходимо измерять температурные и полевые зависимости Rn(TJi) и p0(TJ$), спектры фотопроводимости материала и температурные зависимости поперечного магнитосопротивления &р/р(В). Для отбора же материала, который пойдет на изготовление фотодиодных линеек и матриц, этих измерений недостаточно, необходим еще контроль структурного совершенства материала, в частности, рентгено-структурные измерения.

2. У CdxHgi-xTe в запрещенной зоне выявлены мелкие уровни с Et - Ev = 8...12 мэВ, создаваемые однозарядными вакансиями Унй+ и связанные с зоной Ev, и глубокие уровни cEi=Ev+ 0.6g, связанные с зоной Ес. Было определено, что они ведут себя как ловушки и слабо влияют на параметры фотодиодов. Рекомбинационными уровнями, сильнее влияющими на параметры фотодиодов, являются уровни с Et - К,« 36 мэВ. Среди этой группы уровней есть уровни cEt»Ev + 0.26g, т. е. связанные с зоной Ес, и есть не зависящие отЕ6, следовательно от состава х CdxHgi.xTe, и, вероятнее всего, последние создают примесные атомы.

3. Получено теоретическое выражение для крутизны преобразования St фотодиодов из материалов с кейновской зонной структурой, и на его основе проведены теоретические исследования ЧКХ фотодиодов на CdxHgi.xTe с Лео от 1.8 до 18.0 мкм и ряда размеров г0 чувствительной площадки. По ЧКХ фотодиодов определены условия согласования г0 с размером пятна рассеяния изображения точечного объекта в зависимости от Яс0 фотодиодов на CdxHgi.xTe, необходимые для передачи контраста объекта, максимально приближенного к истинному.

4. Показано, что АГПор тепловизионной системы критично к выбору по Я», фотоприемника. Особенно резко зависимость ДГПор(Л») системы проявляется при наблюдении удаленных тепловых объектов, когда имеется затухание излучения в атмосфере в ИК диапазонах 3...5и8...14 мкм. Кроме того, показано, что системы с фотодиодами как того, так и другого диапазона не являются оптимальными по A7nop при наблюдении как низкотемпературных, так и высокотемпературных объектов.

5. Впервые предложена автором и теоретически обоснована идея применения "сэндвич" фотоприемников для ИК дефектоскопии [13], реализованная в фотоакустическом микроскопе ФМ-5М [14-20]. Это позволило уменьшить влияние на результаты измерения такого неопределенного параметра как излучательная способность є объектов.

6. Дано теоретическое обоснование преимущества использования иммерсионных линз в фотоприемниках на CdxHgi.xTe диапазона 8... 14 мкм, что было подтверждено экспериментально на тепловизоре ТВ-03.

7. Решены следующие теоретические задачи и на их основе предложены и разработаны новые методы измерения параметров тепловых объектов: задача согласования переменного по размерам и яркости теплового объекта с параметрами считывания сигналов системой; задача о спектре ЧКХ фотоприемника в виде кольцевого т -л-перехода; задача, связанная с новым методом измерения параметров тепловых объектов с помощью ИК фотоприемника из двух кольцевых/ -«-переходов, упрощающим измерение коэффициента температуропроводности а тепловых объектов и уменьшающим влияние є на результаты измерения, а при известном а из рассмотренной теоретически задачи следует, что данным методом можно измерять геометрические размеры теплового объекта переменного по размерам и яркости. Рассмотрены и решены теоретические задачи определения параметров объекта из измерений теплового излучения, принимаемого от объекта "сэндвич" фотоприемником в диапазонах 3.5 и 8...14 мкм. Проведен теоретический анализ пространственной фильтрации тепловых объектов системой с "сэндвич" приемником ИК диапазона с двумя полупрозрачными транспарантами с решеткой Фурье и Френеля и рассмотрены два варианта пространственной селекции объектов по размерам, представляющих практический интерес.

Совокупность полученных в работе экспериментальных данных и теоретических положений можно рассматривать как решение крупной научной проблемы: целевой разработки фотоприемников под активные и пассивные оптико-электронные системы среднего и дальнего ИК диапазонов для получения новой информации о тепловых объектах и повышения ее достоверности.

Научные положения, выносимые на защиту

1. Установлено, что для фотодиодов на InSb оптимальными режимами эксплуатации по D следует считать температуры Т , 100 К и смещения t/ —100...—150 мВ, причем в диапазоне температур Т= 90... 100 К D ограничена генерационными процессами в ОПЗ перехода, а режим ограничения фоном/) начинается при Т 90 К.

2. Получено, что в запрещенной зоне CdxHgi_xTe мелкие уровни с Et - Еу = 8... 12 мэВ и глубокие уровни с Et—Е, + 0.6g являются ловушками, они слабо влияют на параметры фотодиодов, а рекомбинационными уровнями, сильнее влияющими на параметры фотодиодов, являются уровни с + 0.26 .

3. Установлено, что у реальных фотодиодов с Лт 4 мкм их оптическая передаточная функция увеличивает весовую долю низкотемпературных участков объекта и занижает -высокотемпературных. Это искажение тем сильнее, чем меньше размер фотодиода Го, больше его Л» и шире спектральный диапазон чувствительности. Для передачи контраста объекта, максимально приближенного к истинному, при согласовании размера чувствительного слоя г0 с размером пятна рассеяния изображения точечного объекта за оптимальное следует считать условие, когда пятно вписывается в размер г0 по уровню м » 0.3 от максимальной освещенности в центре пятна. С уменьшением частоты сканирования/, или размера г0 оптимум сдвигается к w » 0.4. При увеличении Лео фотодиодов их передаточная функция расплывается, и система становится не столь критична к согласованию размера rQ с размером пятна рассеяния.

4. Показано, что при наблюдении удаленных объектов в диапазоне 8... 14 мкм, когда происходит затухание излучения в атмосфере, для достижения минимальной АГдор тепловизионной системы в ней следует применять фотодиоды на CdxHgi-xTe сЛсо=\\±\ мкм, а для спектрального диапазона 3... 5 мкм фотодиоды с Л = 4.0 ±0.1 мкм. Система с фотодиодами на CdxHgi_xTe с Яа, = 4.0 мкм дает улучшение АГпор примерно в 2 раза по сравнению с системами с фотодиодами на InSb с Л» = 5.4 мкм и является оптимальной по АГПор в диапазоне 3... 5 мкм.

5. Методы измерения теплофизических характеристик непрозрачных твердых материалов с помощью устройств с фотодиодами ИК диапазонов, имеющими предложенную конфигурацию чувствительных элементов, и выведенные аналитические соотношения позволяют уменьшить влияние излучательной способности материала на результаты измерения, понизить тепловые нагрузки на материал, получать информацию о дефектах в поверхностных слоях твердых непрозрачных материалов и идентифицировать их по размеру и коэффициенту температуропроводности.

Апробация работы. Результаты диссертации изложены в 16 научных статьях в ж. АН СССР (РФ), в 2-х статьях в ж. SPffi и в 1-ой статье в ж. The Optical Society of America. Опубликованы также в 2 обзорах, в 24 научных статьях в ряде серий отраслевого сб. Электронная техника, в 25 тезисах докладов на Всесоюзных н.-т. конференциях, в 9 н.-т. отчетах по НИОКР. По теме работы получено 9 патентов и 1 авторское изобретение.

Практическая значимость работы. По выполненным автором и внедренным в производство на ФГУП «НЛП «Исток» ОКР было произведено, начиная с 1981 г. по 1991 г., и поставлено заводу «Агат» 1100 приборов ФД-511-1 на общую сумму 1.76 млн. руб. (по курсу 80-х гг.) для комплектования фотодиодами серийно выпускаемого тепловизора ТВ-03, который широко использовался в народном хозяйстве страны в 80-е и в начале 90-х годов. В 2003 г. возобновлены поставки заводу «Агат» фотодиодов ФД-511-1 при плане 50 шт. в год для комплектования тепловизоров ТВ-04, новой разработки такого типа приборов заводом «Агат». Кроме того, фотодиоды ФД-511 и ФД-294 были поставлены в ИТПМ г.Новосибирск, институту Оптики Атмосферы г.Томска, ВНИИОФИ, МИФИ, НПО «Алмаз», ВНИИМИСП, НПО Лазерные Измерительные Системы, ФИАН, ИОФАН, ИВТАН г.Москва, ОКБ завода «Тантал» г.Саратова, институту Прикладной Оптики г.Казань и в ряд других городов и организаций страны. Разработанные двухдиапазонные, на 3...5 и 8...12 мкм, ИК фотоприемники "Дцран" с чувствительными элементами типа "сэндвич" изготавливались и поставлялись штучно по заказам.

Результаты диссертационной работы были использованы ИОФАН, г. Москва, в экспериментах по исследованию загазованности городских улиц с помощью изделия ФД-294-2 (фотодиоды из CdxHgi_xTe, АЛ = 8... 12 мкм) на длине волны излучения Я = 10.6 мкм. Использование фотодиодов ФД-294-2 и научных положений диссертации позволило в МИФИ, на кафедре «Лазерная физика», увеличить точность детектирования химических и биологических веществ разработанным на кафедре спектрополяриметром ИК диапазона на СОа-лазере. Организацией «Спецгаздиагностика» были успешно внедрены изделия ФД-294-1 (фотодиоды из InSb, ДА = 3... 5 мкм) в устройство по обнаружению утечек метана в магистральных газопроводах по поглощению излучения гелий-неонового лазера на Я = 3.39 мкм, что привело к значительному увеличению дальности зондируемой лучом лазера трассы, с 80 до 200 м.

Расчетные данные, изложенные в диссертационной работе, по оптимизации у двухдиапазонного тепловизора каналов 3...5 и 8...12 мкм при наблюдении удаленных объектов, когда учитывается пропускание излучения атмосферой, легли в обоснование выбора спектральных диапазонов. А при разработке многоспектрального томографа ФМ-5М, получившего серебряную медаль на международном салоне по перспективным работам и изобретениям "ЭВРИКА-95" в ноябре 1995 г., г. Брюссель, применялся двухдиапазонный "сэндвич" фотоприемник "Ядран" и развитые теоретические положения об уменьшении влияния излучательной способности на результаты измерения. Это позволило, например, при контроле с помощью томографа ФМ-5М высоковольтных кремниевых транзисторов типа КТ-872 увеличить глубину обнаружения дефектов пайки в два раза, с 350 мкм до 700 мкм, а при исследовании лазерных швов у высоконадежных титановых корпусов кардиостимуляторов (вживляемых в организм, срок функционирования не менее 20 лет) уверенно выявлялись дефекты сварки швов и трещины размером -0.1.1.0 мкм, которые не удавалось обнаружить другими методами контроля.

Развитые теоретические положения об уменьшении влияния излучательной способности на результаты измерений, вместе с изделием "Ядран", были использованы также в Физико-энергетическом институте в г. Обнинске для контроля перегрева ТВЭЛов, что обеспечило существенное ослабление влияния неоднородностей степени черноты поверхности контролируемого изделия на измерение температуры, что является необходимым условием повышения достоверности обнаружения и определения тепловых параметров дефектов типа отслоения между топливным сердечником и оболочкой ТВЭЛа.

Структура изложения материала диссертационной работы

В первой главе приводится краткий литературный обзор состояния с разработкой приемников диапазонов 3...5и8...14 мкм и вопросами их согласования с системами, и определена цель и задачи исследований.

Во второй главе даны соотношения для основных параметров фотодиодов ЙК диапазона, характеризующих их как преобразователей теплового излучения в электрический сигнал.

В третьей главе отражены результаты разработки комплекса методик и установок контроля электрофизических и фотоэлектрических параметров узкозонных полупроводников, а также результаты измерения параметров материалов после технологических обработок, связанных с изготовлением /т-и-переходов, исследование электрофизических и фотоэлектрических свойств материалов InSb, р-РЬТе и CdHgTe.

В четвертой главе изложена технология изготовления ионной имплантацией в сочетании с планарной технологией /?-л-переходов на InSb, РЬТе и CdHgTe, исследование электрических характеристик/?-й-переходов и их связь с электрофизическими параметрами исходных материалов, влияние глубоких уровней в запрещенной зоне на параметры фотодиодов. Приведены результаты экспериментального исследования и теоретические расчеты квантовой эффективности rj, токовой чувствительности Si и обнаружительной способности D фотодиодов. Приведены результаты разработки фотогальванических двухдиапазонных фотоприемников типа "сэндвич" структур и теоретические расчеты их параметров. Рассмотрены теоретически также амплитудные и фазовые спектры "сэндвич" приемника ИК диапазона с транспарантами Фурье и Френеля. Там же представлены технические характеристики разработанных фотодиодов ФД-511-1, ФД-511 -2, ФД-294-1 и ФД-294-2 на спектральные диапазоны 3...5и8...12 мкм для эксплуатации в тепловизионных системах.

Пятая глава посвящена теоретическому анализу функционирования фотодиодов спектральных диапазонов 3...5 и 8...14 мкм в составе оптико-электронных систем и условиям оптимального согласования параметров фотодиодов с параметрами систем, настроенных на обнаружение тепловых объектов.

В шестой главе приведены результаты теоретического рассмотрения ПЧХ объекта переменной яркости и переменного размера и его пространственной селекции, представлены результаты теоретического обоснования новых методов определения коэффициента температуропроводности а тепловых объектов.

Объем работы. Диссертационная работа состоит из введения, шести глав, заключения и списка литературы. Общий объем работы составляет 266 страниц, включая машинописный текст, 239 иллюстраций и 17 таблиц. Список использованной литературы состоит из 360 наименований.

Подобные работы
Поливанов Андрей Павлович
Методы увеличения времени функционирования КМОП СБИС запоминающих устройств в составе бортовой аппаратуры космических аппаратов
Горбачёв Алексей Александрович
Исследование особенностей построения оптико-электронной системы контроля деформаций плавающего дока
Сивяков Игорь Николаевич
Исследование информационных возможностей оптико-электронных систем наблюдения
Прокофьев Александр Валерьевич
Исследование особенностей построения автоколлимационных оптико-электронных систем контроля соосности с оптической равносигнальной зоной
Демидов Владимир Михайлович
Методы и средства цифровой коррекции изображения в оптико-электронных системах визуализации
Гюнтер Сергей Викторович
Оптико-электронная система регистрации функциональных заболеваний пищевода
Гомозов Олег Анатольевич
Методы и технологии геометрической обработки космической видеоинформации от оптико-электронных систем высокого пространственного разрешения
Меламед Ольга Петровна
Математическая модель сигналов в оптико-электронных системах при дистанционном зондировании земной поверхности из космоса
Бузян Артем Тимофеевич
Исследование оптико-электронных систем измерения деформаций элементов конструкции полноповоротного радиотелескопа
Чжан Хань
Исследование оптико-электронных систем измерения параметров пространственной ориентации перемещаемых объектов

© Научная электронная библиотека «Веда», 2003-2013.
info@lib.ua-ru.net